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Começa a corrida pela memória ReRAM

Memória usa resistores para registrar dados até 10 mil vezes mais rápido do que as memórias NAND. Deve ser produzida em massa em 2013

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Resistores de memória serão comuns em 2013

Imagine baixar um filme em HD em apenas alguns segundos. Esse é o cenário que a empresa japonesa Elpida Memory Inc. em parceria com a Sharp prevê para os próximos três anos. Até lá espera-se que o novo chip de memória ReRAM (Resistive Random Acces Memory) estará barato o suficiente para se espalhar por celulares e outros eletrônicos.

O chip é capaz de registrar dados 10 mil vezes mais rápido do que as atuais memórias flash NAND.

Segundo o jornal The Nikkey, além de rápida, a memória também pode reduzir o consumo de energia a “virtualmente zero” em modo standby.

Para atingir o objetivo de produzir o chip em massa até 2013, se juntarão à Elpidia e à Sharp o Instituto Nacional de Ciência e Tecnologia Industrial, a Universidade de Tóquio e outros fabricantes de chips.

Correndo por fora, a Toshiba está trabalhando em um novo tipo de memória flash com estrutura em camadas enquanto a Samsung está desenvolvendo chips ReRam, PRAM (Phase Change Random Acces Memory) e RAM Magnetoresistiva (ou MRAM).

Sem dúvida, a competição é uma boa notícia para nós mortais que dependemos cada vez mais de memórias eficientes, baratas e de baixo consumo.


"E o Legal de tudo isso é que mostra que realmente a tecnologia não tem um fim, ou seja a cada dia, sempre teremos tecnologia de ponta para uso pessoal. Gostaria de falar tambem que bem que o velho HD poderia aparecer com uma nova tecnologia."


Fonte:
MsN Tecnologia